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IRFB3006PBF中文资料

IRFB3006PBF图片

IRFB3006PBF外观图

  • 大小:296.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N-CH, 60V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:270A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:1080A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.5 毫欧 @ 170A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:8970pF @ 50V
  • 功率 - 最大:375W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件

IRFB3006PBF供应商

更新时间:2023-01-01 17:45:13
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